LME49721＋2SC2320/2SA999（オーバーオールのNFBなし）

ブレッドボードを使い、なべさんの新型ヘッドホンアンプをオーバーオールの帰還なしで組んでみた。

ブレッドボードなのでオーバーオールの帰還をかける形にもすぐに変更ができる。いろいろと組み換えながら聴いてみて、オーバーオールの帰還をかけるかどうかも含め、据置用の仕様を詰めたいと思う。

ダイアモンドバッファの入力抵抗、100Ωは東京光音RD（100Ωのまともな抵抗は、今、これしか持っていない^^;）。後段トランジスタにアイドル電流を流す抵抗はニッコームRP-44Cか多摩電気工業LF（適当な抵抗値を持っているほうを使う）。出力抵抗はMPC78。平滑コンデンサはKZE、6.3V 3300μ。

先日作った基板が電池4本ではアイドル電流が流れすぎるため、とりあえず使うのをやめた（バラして組み直す予定）。当面はブレッドボードの仮組み状態をメインに使うしかないので、手持ちの範囲でできるだけいいと思われる組み合わせにしてみた。

オペアンプとトランジスタはLME49721＋2SC2320/2SA999（とりあえず前後段とも）。今のところ、一番気に入っている組み合わせなので。

オーバーオールの帰還をかけないとオフセットが心配。しかも2SC2320/2SA999は4セットしか持っていないので、その中で比較的hFEが近いものをペアにする程度のことしかできない。オフセットが暴れるようなら、前段は本数があってペア取りしやすい2SC1815/2SA1015にするということで。

結果、オフセットは8～9mV。意外に出ない。帰還をかけるとオフセットが消える（オペアンプによるのだろうが）という話なので実験してみた。たしかに、帰還をかけるだけで1mV以下まで落ちる。ふーん……。

なお、手持ちの2SC2320/2SA999のhFEは以下のとおり。
2SC2320が198～236
2SA999が240～288

前段の特性をなるべくそろえることにして、以下のようにペアリング。
前段は236/240、236/252
後段は229/288、198/259

電池は4本。バイアス抵抗はアイドル電流が11mAとなった68Ω（ニッコームRP-44C）を採用。これは満充電時の値なのでもうちょっとアイドル電流を流してもいいと思うのだが、手持ちの抵抗値では68Ωの次が220Ωパラの110Ωまで飛んでしまうので仕方がない。帰還をかけずに使っていることが多いので1円抵抗はやめている。ここの違いも聞き比べてみたいが、このところそれなりにまじめに仕事をしているもので比較しながら聞く時間がイマイチとれない。

●電池4本時のバイアス抵抗とアイドル電流

バイアス抵抗(Ω)	アイドル電流(mA)
0	1
68	11
110	35
220	80

せっかくなので電池2本のときどうなるかも測ってみると……150Ωで10mA。一番電池電圧が高い満充電状態で測ったので、もうちょっとアイドル電流が流れてもいいだろう。細かく調整するなら180Ωというところかな。

トランジスタは、前後段とも変えてやれば前後のバランスは保たれるので、バイアス抵抗が0Ωのときにはアイドル電流がほとんど流れなくなる。しかし、バイアス抵抗とアイドル電流の関係はトランジスタによって異なることが確認できたことになる。トランジスタを変えて楽しむつもりなら、実験で確認してみる必要があるということだ。

それにしても……アイドル電流が流れすぎていたころはほとんど毎日か少なくとも2日に1回、電池を変えなければならなかったのに、何日ももつようになった。総消費電流で1/4くらいになったのだから当たり前か。